王琦

作品数：3被引量：3H指数：1
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供职机构：北京师范大学核科学与技术学院更多>>
发文主题：离子注入GAAS砷化镓SI-GAASN型更多>>
发文领域：电子电信金属学及工艺更多>>
发文期刊：《北京师范大学学报（自然科学版）》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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高能注入在研制垂直源区GaAs MESFET中的应用
《北京师范大学学报（自然科学版）》1992年第4期563-564,共2页韩德俊 李国辉 王琦 韩卫 
国家自然科学基金
我们利用高能注入技术和SI-GaAs材料研制出了1种新结构的GaAs MESFET.这种新结构有利于克服功率MESFET中源、栅、漏的引线在同一平面交错带来的工艺及寄生效应方面的问题,并且它的一个栅同时控制2个沟道。
关键词：高能注入 砷化镓 MESFET 
Mev ^(28)Si^+注入GaAs的退火行为被引量：1
《北京师范大学学报（自然科学版）》1992年第2期167-172,共6页姬成周 李国辉 成步文 王琦 王文勋 
国家自然科学基金
报导 MeV 硅离子注入半绝缘 GaAs 的快退火行为,根据缺陷作用原理分析了硅的不均匀激活和载流子分布特征.指出应按载流子浓度、迁移率、埋层电阻和击穿等特性综合评价深埋层和近表面层的品质,优化注入和退火参数.
关键词：MEV 离子注入 退火 砷化镓 
高能Si^+注入Sl-GaAs形成n型埋层被引量：2
《固体电子学研究与进展》1991年第3期245-249,共5页姬成周 李国辉 吴瑜光 罗晏 王琦 王文勋 
国家自然科学基金资助项目
本文报导0.6～5MeV高能Si^+离子注入LEC半绝缘GaAs的快速退火效果,在950℃温度下退火5秒得到最佳电特性.采用多能量叠加注入已制备出平均深度在1.2μm,厚约1.7μm的n^+深埋层,载流子浓度为3～5×10^(17)cm^(-3).在近表面单晶层上作成了...
关键词：离子注入 SI-GAAS 埋层 Si注入 
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