韩卫

作品数：4被引量：5H指数：1
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供职机构：北京师范大学更多>>
发文主题：离子注入穿通型高灵敏度光电晶体管异质结更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《北京师范大学学报（自然科学版）》《功能材料与器件学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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InGaAs/InP中离子注入和新型HPT
《功能材料与器件学报》2000年第3期259-262,共4页李国辉 杨茹 于民 韩卫 曾一平 
国家自然科学基金!(69676030)资助;北京市基金!(4962004;4992004)资助
InGaAs/InP是制作光电器件与微波器件的重要材料。离子注入InGaAs/InP做掺杂或制作高阻层是人们十分关注的研究课题。采用Fe＋注入InGaAs/InP得到了电阻率升高的好结果。用Be＋注入制作了新结构HPT的基区。研制成功了在1.55μm波长工作...
关键词：INGAAS/INP 离子注入 HPT 
氢氧注入在GaAs器件中的应用被引量：1
《北京师范大学学报（自然科学版）》1995年第4期456-460,共5页韩卫 罗晏 朱红清 司丽荣 李国辉 
国家"八六三"高科技资助
从３个器件说明氢、氧注入在不同方面的应用：（１）用氧注入制备高质量Ｎ－ＳＩ－Ｎ＋埋层，应用于源栅面对ＭＥＳＦＥＴ中，克服源、栅、漏引线在同一平面交错带来的工艺及寄生效应；（２）用氢注入隔离Ｐ＋－Ｎ－－Ｎ＋层的Ｎ－层，...
关键词：氢 氧 离子注入 砷化镓器件 
高灵敏度穿通型异质结光电晶体管被引量：4
《固体电子学研究与进展》1995年第3期214-221,共8页李国辉 韩德俊 韩卫 姬成周 朱恩均 周均铭 黄绮 
国家科委863项目
报导了一种带有独特隔离环结构的宽禁带发射区平面穿通型光电晶体管（ＧＲ－ＰＴＨＰＴ），在弱光信号下具有高灵敏度。器件工作时基区全部耗尽，基极电流基本为零，输出噪声电流大大下降，使光电增益提高了一个量级以上。已研制成的Ｇ...
关键词：高灵敏度 穿通型 异质结 光电晶体管 
高能注入在研制垂直源区GaAs MESFET中的应用
《北京师范大学学报（自然科学版）》1992年第4期563-564,共2页韩德俊 李国辉 王琦 韩卫 
国家自然科学基金
我们利用高能注入技术和SI-GaAs材料研制出了1种新结构的GaAs MESFET.这种新结构有利于克服功率MESFET中源、栅、漏的引线在同一平面交错带来的工艺及寄生效应方面的问题,并且它的一个栅同时控制2个沟道。
关键词：高能注入 砷化镓 MESFET 
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