高能注入在研制垂直源区GaAs MESFET中的应用  

1 Thoripson P E, Ingrain D C, Pronk P P, et al. Atomic and carrier profiles of 1-, 2-, 4-, 6-MeV Si implanted into GaAs. J Appl Phys, 1989, 65(8). 2 986. 2 Short K T, Pearton S J, Wu C S, et al. Implantation tailoring of electrically active doping

作　　者：韩德俊[1] 李国辉[1] 王琦[1] 韩卫[1] 

机构地区：[1]北京师范大学低能核物理研究所,北京新外大街100875

出　　处：《北京师范大学学报（自然科学版）》1992年第4期563-564,共2页Journal of Beijing Normal University(Natural Science)

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：我们利用高能注入技术和SI-GaAs材料研制出了1种新结构的GaAs MESFET.这种新结构有利于克服功率MESFET中源、栅、漏的引线在同一平面交错带来的工艺及寄生效应方面的问题,并且它的一个栅同时控制2个沟道。Han Dejun Li Guohui Wang Qi Han Wei(Institute of Low Energy Nuclear physics, Beijing Normal University, 100875, Beijing)

关 键 词：高能注入 砷化镓 MESFET 

分 类 号：TN364.3[电子电信—物理电子学]