高能Si^+注入Sl-GaAs形成n型埋层  

Deep n-Type Region Formation by MeV Si lon Implantation in SI-GaAs

作　　者：姬成周[1] 李国辉[1] 吴瑜光[1] 罗晏[1] 王琦[1] 王文勋[2] 

机构地区：[1]北京师范大学低能核物理研究所,100875 [2]北京师范大学分析测试中心,100875

出　　处：《固体电子学研究与进展》1991年第3期245-249,共5页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金资助项目

摘　　要：本文报导0.6～5MeV高能Si^+离子注入LEC半绝缘GaAs的快速退火效果,在950℃温度下退火5秒得到最佳电特性.采用多能量叠加注入已制备出平均深度在1.2μm,厚约1.7μm的n^+深埋层,载流子浓度为3～5×10^(17)cm^(-3).在近表面单晶层上作成了性能良好的肖特基接触,其势垒高度约为0.7V.Optimum activation can be achieved when LEC SI-GaAs wafers are annealed at 950℃ for 5s after 0.6 -5.0MeV Si ion implantation. A buried n+ region has been created by multiple energy MeV implants at the depth of 1.2μm below surface, the thickness and carrier concentration are 1.7μm and 3-5 × 1017cm-3, respectively. On the near surface monocrystalline GaAs layer, a better Schottky contact with a barrier height of 0.7V has also been fabricated.

关 键 词：离子注入 SI-GAAS 埋层 Si注入 

分 类 号：TN305.3[电子电信—物理电子学]