MLS结构的电容-电压特性  

C-V CHARACTERISTICS STUDIES ON MLS STRUCTURE

作　　者：张佐兰[1] 郑茳[2] 黄勤[2] 陆祖宏[2] 魏同立[2] 

机构地区：[1]东南大学微电子学中心,副教授南京市210018 [2]东南大学

出　　处：《材料科学进展》1992年第1期64-67,共4页

摘　　要：本文报导在 Si 衬底上拉制聚酰胺 LB 膜的电容-电压特性,结果表明:它具有与其它绝缘膜相似的特性,为聚酰胺 LB 膜应用于场效应器件奠定了基础。C-V characteristics of polyimide Langmuir-Blodegett films is described in thispaper.The obtained results are similar to other insulator films.This is basic of polyimide LBfilms application in field effect transistor(MLSFET).

关 键 词：LB膜 绝缘膜 聚酰胺 

分 类 号：TN304.52[电子电信—物理电子学]