张佐兰

作品数：22被引量：10H指数：2
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供职机构：东南大学更多>>
发文主题：半导体硅膜电化学腐蚀光电元件LB膜更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程理学更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《传感器与微系统》《半导体光电》《半导体技术》更多>>
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新型的SOI技术被引量：2
《半导体技术》1994年第3期16-20,共5页张佐兰 
本文较全面地介绍ＳＤＢ／ＳＯＩ技术，其中包括热键合机理和工艺、硅片减薄技术的机理和工艺以及ＳＯＩ材料的质量检验和分析。
关键词：半导体材料 SOI技术 工艺 
几种新型的光电器件被引量：1
《半导体光电》1994年第1期28-35,共8页张佐兰 
描述用ＳＯＩ技术制造的光耦合ＭＯＳ继电器和多量子阱长波长红外探测器，以及集成异质结晶体管和激光二极管于一体的高增益、高灵敏的光电子开关器件。文中着重介绍这些器件的结构、制造工艺和器件特性，并对其进行了讨论。
关键词：红外探测器 多量子阱 光电器件 
Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜的特性
《半导体光电》1993年第4期305-310,336,共7页张佐兰 
(东南大学,南京 210008) 重点介绍Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体薄膜的特性,特别是CdS和CdSe。利用密封空间汽化传输技术制作的CdS薄膜具有低的电阻(300K时,σ为0.88～1.34Ω^(-1)·cm^(-1))、高的载流子迁移率。X射线衍射仪分析表明:在(002)面...
关键词：太阳电池 化合物半导体 薄膜 晶体 
LB单分子膜中电荷密度的确定
《电子科学学刊》1992年第2期217-220,共4页郑茳 黄勤 张佐兰 魏同立 林慈 韦钰 
国家自然科学基金
本文介绍了一种新的测定单层LB膜中电荷密度的C-V方法,解决了常规C-V方法的不精确问题。通过对硬脂酸C_(20)H_(40)O_2膜中电荷密度的测定,表明此方法实用可行。
关键词：LB单分子膜 C-V方法 电荷密度 
半导体激光器的制造新技术
《光电子技术》1992年第1期20-29,共10页张佐兰 
半导体激光器是激光器中的一种,它的制造技术有分子束外延、液相外延、金属有机物化学气相淀积、低压金属有机物化学气相淀积和化学束外延等.结果表明,器件特性与制备方法有关.例如:利用金属有机气相外延生长的GaAs/GaAlAs异质结,可以...
关键词：半导体 激光器 液相外延 制造 
硫化镉薄膜的制备新技术被引量：1
《半导体光电》1992年第1期70-77,共8页张佐兰 
CdS 是用于制作太阳电池和光电探测器等的Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料之一。CdS薄膜制备方法有蒸发,溅射,化学汽相淀积等。实验证明其特性与制备方法有关,本文重点介绍 MOCVD 和离化淀积法制备 CdS 薄膜及其特性分析。
关键词：硫化镉 薄膜 制备 光电器件 淀积 
MLS结构的电容-电压特性
《材料科学进展》1992年第1期64-67,共4页张佐兰 郑茳 黄勤 陆祖宏 魏同立 
本文报导在 Si 衬底上拉制聚酰胺 LB 膜的电容-电压特性,结果表明:它具有与其它绝缘膜相似的特性,为聚酰胺 LB 膜应用于场效应器件奠定了基础。
关键词：LB膜 绝缘膜 聚酰胺 
Ⅱ—Ⅵ族化合物的前景
《电子工艺技术》1991年第4期30-33,29,共5页张佐兰 
1 引言光敏元器件是当前和今后实现遥感遥测、自动控制,实现非电量与电量信息转换的关键元器件,是电子计算机信息获得或实现智能控制必不可少的元器件。随着军事尖端技术、光通信、机器人,生产自动化和能量控制,尤其微处理机的迅速发展...
关键词：化合物半导体 Ⅱ-VI族化合物 
硅片直接键合技术及其应用
《电子工艺技术》1991年第4期14-16,共3页张佐兰 
本文简要介绍硅片直接键合和它的减薄技术以及该技术在微电子学中的应用。
关键词：硅片 直接键合 SDB 键合 
SDB技术及其在传感器中的应用
《传感器技术》1991年第6期30-33,共4页张佐兰 
本文简要介绍了硅片直接键合(SDB)技术和pn结自停止电化学腐蚀减薄新技术以及该技术在传感器中的应用。
关键词：硅片键合 SDB 传感器 
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