半导体激光器的制造新技术  

New Technology of Production of Semiconductor Laser Devices

作　　者：张佐兰[1] 

机构地区：[1]东南大学

出　　处：《光电子技术》1992年第1期20-29,共10页Optoelectronic Technology

摘　　要：半导体激光器是激光器中的一种,它的制造技术有分子束外延、液相外延、金属有机物化学气相淀积、低压金属有机物化学气相淀积和化学束外延等.结果表明,器件特性与制备方法有关.例如:利用金属有机气相外延生长的GaAs/GaAlAs异质结,可以制造高精致的大功率激光器,其波长为780～880nm.用具有特殊波导特性的质量阱(QW)结构能满足大功率需要.各种参量包括这些层的结构和配合以及多层结构的光、电特性,通过该方法大面积生长外延层而达到最佳化.本文重点介绍上述技术的生长机理、实验系统简图、典型工艺以及在器件制造上的应用.The fabrication technology of semiconductor laser device has been classified into MBE, LPE, MOCVD, LP-MOCVD and CBE etc. The experimental results show that device properties depend on the processing method. In this paper, the growth mechanism, the simplified schematic of experimental system, the typical process and applications for the above technology are presented.

关 键 词：半导体 激光器 液相外延 制造 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]