第四代半导体拂化物低维结构外延晶圆材料与激光器技术  

作　　者：牛智川[1] 徐应强[1] 张宇[1] 倪海桥[1] 杨成奥 谢圣文 尚金铭 张一 袁野 陈益航 蒋俊凯 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所

出　　处：《科技纵览》2019年第11期65-67,共3页IEEE Spectrum

基　　金：国家自然科学基金重大项目“错化物低维结构中红外激光器基础理论与关键技术”的支持。

摘　　要：随着量子信息、绿色能源、人工智能等高新技术的不断涌现,能够更好地满足微电子、光电子、磁电子以及热电子等芯片应用的第四代半导体技术呼之欲出。中国科学院半导体研究所牛智川研究员带领的团队聚焦锚化物半导体光电器件新技术,系统开展了磚化物红外激光器制备研究,攻克了纳米尺度的高精度光栅工艺制备等难题,实现了镖化物激光器量子阱短波红外高功率和单模室温连续工作。

关 键 词：红外激光器 半导体技术 激光器技术 半导体光电器件 低维结构 芯片应用 短波红外 量子信息 

分 类 号：TN2[电子电信—物理电子学]