f_T=11THz的InGaAs零偏工作太赫兹检波二极管  

InGaAs Zero Biased Terahertz Detector Diode with f_T=11 THz

作　　者：牛斌[1] 范道雨 代鲲鹏 林罡[1] 王维波[1] 陈堂胜[1] NIU Bin;FAN Daoyu;DAI Kunpeng;LIN Gang;WANG Weibo;CHEN Tangsheng(Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory,Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing,210016,CHN)

机构地区：[1]南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

出　　处：《固体电子学研究与进展》2019年第6期F0003-F0003,共1页Research & Progress of SSE

摘　　要：南京电子器件研究所突破了T型阳极肖特基接触工艺、低势垒器件钝化保护、大长宽比阳极空气桥制备等关键技术,实现了截止频率fT达11 THz的InGaAs零偏工作太赫兹检波二极管研制,如图1所示。表1列出了不同工艺的太赫兹检波二极管核心参数对比,本文报道的阳极直径1μm的InGaAs SBD势垒高度仅为0.15 V。由零偏结电容及总电容推算的器件截止频率达11.0 THz/7.7 THz。

关 键 词：检波二极管 截止频率 肖特基接触 结电容 太赫兹 空气桥 势垒高度 INGAAS 

分 类 号：TN111[电子电信—物理电子学]