碲镉汞红外焦平面器件技术进展  被引量:20

Development of technologies for HgCdTe IRFPA

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作  者:丁瑞军[1] 杨建荣[1] 何力[1] 胡晓宁[1] 陈路[1] 林春[1] 廖清君[1] 叶振华[1] 陈洪雷[1] 魏彦锋[1] Ding Ruijun;Yang Jianrong;He Li;Hu Xiaoning;Chen Lu;Lin Chun;Liao Qinjun;Ye Zhenhua;Chen Honglei;Wei Yanfeng(Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors,Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200083,China)

机构地区:[1]中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海200083

出  处:《红外与激光工程》2020年第1期85-91,共7页Infrared and Laser Engineering

摘  要:近十年碲镉汞第二代红外焦平面探测器应用呈现爆发式增长,也是第三代焦平面技术快速发展的十年。文中对近十年来碲镉汞红外焦平面探测器技术的发展进行了简单的回顾,并结合碲镉汞红外焦平面探测器的应用,对在碲镉汞红外焦平面探测器技术方面的研究工作和工程应用进行了总结,最后,对未来碲镉汞红外焦平面探测器技术的发展进行了展望。The applications of the second Hg CdTe Infrared Focal Plane Arrays(IRFPA)have exploded in the past 10 years,meanwhile the third IRFPA has developed rapidly.This article makes a brief retrospect in development of HgCdTe IRFPA detector,combines with applications of HgCdTe IRFPA detector,summarizes the research works and the engineering applications of HgCdTe IRFPA detector and looks forward to the further development of Hg CdTe IRFPA detector.

关 键 词:红外焦平面 碲镉汞 分子束外延 液相外延 读出电路 

分 类 号:TN215[电子电信—物理电子学]

 

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