退火温度对MoS2纳米薄膜微特性及光学性能的影响  

作　　者：成桢[1] 

机构地区：[1]西安文理学院应用物理研究所,陕西西安710065

出　　处：《信息记录材料》2020年第2期31-33,共3页Information Recording Materials

基　　金：西安市科技计划创新基金项目(类石墨烯层状二硫化钼纳米薄膜的制备及其光电特性,项目编号2017CGWL14);中国科学院瞬态光学与光子技术国家重点实验室开放基金(基金项目编号SKLST201904);西安市科技计划创新基金项目2019KJWL23;陕西省自然科学基础研究计划,项目编号2018JQ5173。

摘　　要：本论文使用射频磁控溅射法在硅衬底上制备不同退火温度下的MoS2薄膜,利用SEM、XRD、光谱仪等手段对薄膜的表面形貌、结构、反射率等进行表征,分析退火温度对MoS2薄膜性能的影响。研究结果表明:退火温度对MoS2薄膜表面形貌影响明显,不同退火温度会改变MoS2薄膜XRD衍射峰的位置。退火温度越高,MoS2薄膜生长质量越好,MoS2薄膜反射率越高。

关 键 词：磁控溅射法 MOS2薄膜 表面形貌 光学性能 

分 类 号：TB30[一般工业技术—材料科学与工程]