安森美半导体推出新的900V和1200V SiC MOSFET用于高要求的应用  

出　　处：《半导体信息》2020年第2期5-6,共2页Semiconductor Information

摘　　要：安森美半导体(ON Semiconductor)推出另两个碳化硅(SiC)MOSFET系列,扩展了其宽禁带(WBG)器件系列。这些新器件适用于各种高要求的高增长应用,包括太阳能逆变器、电动汽车(EV)车载充电、不间断电源(UPS)、服务器电源和EV充电桩,提供的性能水平是硅(Si)MOSFET根本无法实现的。

关 键 词：安森美半导体 太阳能逆变器 宽禁带 MOSFET 充电桩 性能水平 SEMICONDUCTOR 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]