三星加速开发160层或更高堆叠层数的3D NAND Flash  

出　　处：《半导体信息》2020年第2期16-17,共2页Semiconductor Information

摘　　要：当前,3DNAND Flash快闪存储器产品量产的最高堆叠层数为128层,不过三星正在研发更高层数的快闪存储器。据韩国媒体《ETnews》近日报道,三星目前正在开发具有160层或更高层的第7代V-NAND快闪存储器,并且在相关技术方面已经取得重大进展。《ETnews》指出,三星的第7代V-NAND快闪存储器将采用"双堆叠"的技术来达到更多堆叠层的目的。

关 键 词：快闪存储器 NAND Flash 加速开发 3D 堆叠 量产 韩国媒体 

分 类 号：TP3[自动化与计算机技术—计算机科学与技术]