三菱电机推出1200V SiC MOSFET  

出　　处：《半导体信息》2020年第3期20-20,共1页Semiconductor Information

摘　　要：三菱电机日前推出其N系列1200V碳化硅(SiC)MOSFET,具有低功耗和高容限等特性。具体来说,结型场效应晶体管(JFET)掺杂技术可降低开关损耗和导通电阻,从而实现了1450mΩ内阻。与使用常规的IGBT相比,功耗降低了约85%。据称,通过降低镜像电容(MOSFET结构中栅极和漏极之间的杂散电容Crss),自导通容差比竞争对手的产品提高了14倍,因此可以实现快速的开关操作,有助于减少开关损耗。降低的开关功率损耗之后可以选择更高载频的功率半导体,散热器可实现小型化和简化,以及诸如电抗器之类的外围组件的小型化,从而有助于降低整个电源系统的成本和尺寸。

关 键 词：功率半导体 结型场效应晶体管 导通电阻 电源系统 三菱电机 漏极 JFET 掺杂技术 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]