检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]长沙理工大学物理与电子科学学院
出 处:《电子世界》2020年第14期118-119,共2页Electronics World
基 金:湖南省教育厅创新平台开放基金项目(17K004);柔性电子材料基因工程湖南省重点实验室。
摘 要:本文设计了一种应用于EEPROM的片内高压电荷泵电路。该电路基于Dickson电荷泵结构,用二极管连接的nMOS管代替二极管,通过加入预充管并提高最高输出电压以减少电压上升时间,在3.3V电源电压下得到最高21V的输出电压。该电路基于SMIC 0.18um 2P4M工艺设计,由cadence软件仿真实现。随着社会的进步,物联网的蓬勃发展,半导体存储技术迎来了黄金时期。其中,EEPROM(电可擦可编程只读存储器)因其接口少、功耗低、存储可靠、价格低廉等优点,在非易失性半导体存储器件领域发挥着重要作用。然而,EEPROM进行擦写操作所需的电压在15V以上,远高于芯片工作的电源电压,因此需要额外的片内升压电路来保证EEPROM的正常工作。
关 键 词:电可擦可编程只读存储器 半导体存储器 EEPROM 非易失性 物联网 电源电压 升压电路 电荷泵
分 类 号:TP3[自动化与计算机技术—计算机科学与技术]
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在链接到云南高校图书馆文献保障联盟下载...
云南高校图书馆联盟文献共享服务平台 版权所有©
您的IP:18.218.241.211