GaN路线之争再起波澜  

出　　处：《半导体信息》2020年第4期3-6,共4页Semiconductor Information

摘　　要：凭借高功率、高频工作环境下的优良性能,氮化镓(GaN)正在快速崛起,无论是在功率,还是射频应用领域,GaN都代表着高功率和高性能应用场景的未来,将在很大程度上替代砷化镓(GaAs)和LDMOS。而在GaN外延片方面,主要有两种衬底技术,分别是GaN-on-Si(硅基氮化镓)和GaN-on-SiC(碳化硅基氮化镓)。当然,除了以上这两种主流技术外,还有GaN-on-sapphire,以及GaN-on-GaN技术。

关 键 词：外延片 GAN 高频工作 LDMOS 高性能应用 应用领域 主流技术 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]