为碳化硅开辟新应用领域 英飞凌62mm CoolSiC^TM模块问市  

出　　处：《半导体信息》2020年第4期7-8,共2页Semiconductor Information

摘　　要：英飞凌科技股份公司为其1200VCoolSiCTM MOSFET模块系列新增了一款62mm工业标准模块封装产品。它采用成熟的62mm器件半桥拓扑设计,以及沟槽栅芯片技术,为碳化硅打开了250kW以上(硅IGBT技术在62mm封装的功率密度极限)中等功率应用的大门。在传统62mm IGBT模块基础上,将碳化硅的应用范围扩展到了太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引以及商用感应电磁炉和功率转换系统等。

关 键 词：IGBT模块 英飞凌科技 中等功率 芯片技术 TM模 模块封装 IGBT技术 拓扑设计 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]