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作　　者：胡斯登[1] 

机构地区：[1]浙江大学

出　　处：《电器与能效管理技术》2020年第9期I0008-I0009,共2页Electrical & Energy Management Technology

摘　　要：关键词:碳化硅;功率器件;二极管;结型场效应晶体管;金氧半场效晶体管;绝缘栅双极型晶体管;门极可断晶闸管盛况,任娜,徐弘毅.碳化硅功率器件技术综述与展望[J].中国电机工程学报,2020,40(6):17411753.碳化硅器件作为一种宽禁带半导体器件,具有耐高压、高温,导通电阻低等优点,碳化硅器件技术的提升将助力于电力电子技术朝着高频、高效、高功率密度的方向前进。浙江大学盛况教授就SiC器件结构发展历史入手,介绍了产业界器件发展历史,并就SiC各器件的特点进行总结,对各类器件结构和工艺的优化及应用进行报道。通过各类型器件对比,指出未来五年内SiC器件的研究内容将集中在衬底和外延质量的提升、栅氧工艺的优化和器件可靠性的提高、高压大容量SiC器件的研发以及超级结等新型器件结构等方面,并针对上述技术进行了更为详细的分类报道。此外,如何实现SiCIGBT和GTO器件技术的产业化和大规模使用,抑制缺陷对器件生产的良率,以及突破碳化硅超级结一维单极性器件的性能等技术仍亟待研究。

关 键 词：绝缘栅双极型晶体管 结型场效应晶体管 器件可靠性 碳化硅器件 导通电阻 器件生产 新型器件 超级结 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]