深度剖析第三代半导体材料氮化镓市场现状  

出　　处：《半导体信息》2020年第5期23-25,共3页Semiconductor Information

摘　　要：在第三代半导体材料产业链制造以及应用环节上,SiC可以制造高耐压、大功率电力电子器件如MOSFET、IGBT、SBD等,用于智能电网、新能源汽车等行业。与硅元器件相比,GaN具有高临界磁场、高电子饱和速度与极高的电子迁移率的特点,是超高频器件的极佳选择,适用于5G通信、微波射频等领域的应用。

关 键 词：电子迁移率 微波射频 氮化镓 深度剖析 大功率电力电子器件 临界磁场 SBD 新能源汽车 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]