原子层沉积技术的应用现状及发展前景  

Application status and development prospect of ALD technology

作　　者：廖荣[1] 康唐飞 邓世杰 吴海洋 王敬云 LIAO Rong;KANG Tangfei;DENG Shijie;WU Haiyang;WANG Jingyun(School of Electronic and Information Engineering,South China University of Technology,Guangzhou 510640,China)

机构地区：[1]华南理工大学电子与信息学院,广东广州510640

出　　处：《传感器与微系统》2021年第10期5-9,共5页Transducer and Microsystem Technologies

基　　金：2020年华南理工大学校级一流本科课程项目(微电子工艺实习);2021年华南理工大学“学生研究计划”项目。

摘　　要：介绍了原子层沉积(ALD)技术的应用现状及发展前景,包括ALD原理、ALD技术的主要优势、ALD在各方面的应用,如半导体及纳米电子学应用、光电材料及器件、微机电系统(MEMS)、纳米结构及其它应用。ALD工艺所需温度比其他化学气相沉积方法远远降低,温度约为300℃。ALD对薄膜的均匀性有更好的控制,由于原子层技术的独特性,使其在半导体等行业的发展前景十分可观。Application status and development prospect of atomic layer deposition(ALD)technology,including the ALD principle,the main advantages of ALD technology,the application of ALD in various fields,such as semiconductor and applications,optoelectronic materials and devices,micro-electro-mechanical system(MEMS),nanostructures and other applications are introduced.The temperature required for ALD process is much lower than that of other chemical vapor deposition methods,about 300℃.ALD deposition has better control on thin-film uniformity,and the uniqueness of ALD technology determines its wide application in semiconductor and other industries.

关 键 词：原子层沉积 纳米结构 半导体 介电层 芯片 

分 类 号：TN311[电子电信—物理电子学] TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]