检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]武汉工程大学等离子体化学与新材料湖北省重点实验室,湖北武汉430074
出 处:《化学工程与装备》2021年第10期7-8,20,共3页Chemical Engineering & Equipment
摘 要:使用微波等离子体设备,研究单晶金刚石衬底间距和厚度差异对拼接法制备大尺寸单晶金刚石生长的影响。通过金相显微镜观察不同衬底间距和厚度差异下金刚石的生长情况;通过扫描电子显微镜和激光拉曼光谱仪对拼接界面处的表面形貌和晶体质量进行表征合分析。结果表明,当衬底间距小于10μm时,虽然晶体的底部有明显缝隙,但是表面区域已经连成一片完整的单晶,说明拼接狭缝处沿水平方向的生长速度能够使两片衬底在接触时连成一体;当衬底厚度差异不超0.02mm时,不会出现"吞噬"现象,生长表面较为平整。
分 类 号:TQ163[化学工程—高温制品工业]
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