用于电源SiP的半桥MOSFET集成方案研究  

Research on the Package Integration of Half-bridge MOSFETs in Power SiP

作　　者：唐光庆[1] 曾鑫[1] 冯志斌 康丙寅 

机构地区：[1]中国人民解放军93147部队,重庆400060 [2]中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060

出　　处：《电子产品世界》2021年第12期87-89,共3页Electronic Engineering & Product World

摘　　要：系统级封装(System in Package,SiP)设计理念是实现电源小型化的有效方法之一。然而,SiP空间有限,功率开关MOSFET的集成封装方案对电源性能影响大。本文讨论同步开关电源拓扑中的半桥MOSFET的不同布局方法,包括基板表面平铺、腔体设计、3D堆叠等;以及不同的电源互连方式,包括键合、铜片夹扣等。从封装尺寸、载流能力、热阻、工艺复杂度、组装维修等方面,对比了不同方案的优缺点,为电源SiP的设计提供参考。

关 键 词：系统级封装 腔体 3D堆叠 键合 铜片夹扣 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学] TN386