日本成功测试最先进X波段 瓦片型GaN高功率T/R组件  

出　　处：《电子工程信息》2021年第6期F0003-F0003,共1页Electronic Engineering Information

摘　　要：日本三菱公司在2021年IEEE MTT-S国际微波研讨会(IMS),上公布“低剖面AESA的X波段高功率瓦片型GaN T/R组件”,输出功率20W,噪声系数2.8dB,是X波段瓦片型T/R组件的最先进水平。针对GaN T/R组件散热采用的砖块或刀片结构不适应低剖面紧凑AESA,以及常规瓦片T/R组件背端散热不足导致组件功率不高的问题,提出一种解决方案,将所有发射与接收芯片封装在-起,从封装结构的顶表面进行散热。

关 键 词：T/R组件 X波段 低剖面 芯片封装 封装结构 日本三菱公司 GAN AESA 

分 类 号：TN9[电子电信—信息与通信工程]