取得重大进展!半导体厂商加码发力IGBT领域  

出　　处：《变频器世界》2022年第3期29-30,共2页The World of Inverters

摘　　要：近日,IGBT领域接连迎来好消息,闻泰科技、士兰微先后发布公告,各自宣布了在功率半导体领域的重大进展。闻泰科技公告称,公司的全资子公司Nexperia B.V.(下文称:安世半导体)于2021年设立了中国研究院,专注高压功率器件、模拟IC等新产品研发方向。目前公司自主设计研发的绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate BipolarTransistor,以下简称"IGBT")系列产品已流片成功,取得阶段性重大进展,各项参数均达到设计要求。

关 键 词：绝缘栅双极晶体管 功率半导体 半导体厂商 模拟IC 高压功率器件 IGBT 新产品研发 系列产品 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]