国内申请三维NAND闪存技术专利分析  

作　　者：陈敏[1] 邢白灵[1] 

机构地区：[1]国家知识产权局专利局专利审查协作江苏中心

出　　处：《中国科技信息》2022年第12期26-27,共2页China Science and Technology Information

摘　　要：3DNAND闪存与2DNAND闪存在存储架构上虽然有比较明显的差异,但是其存储单元的基本物理结构组成是相同的。在3DNAND存储器结构中,采用垂直堆叠多层数据存储单元的方式,实现堆叠式的3DNAND存储器结构。在3DNANDFlash中,多位存储单元可被编程于多阶编程阈值电压的其中之一阶,以实现一个多位存储单元可以存储多个不同数据的目的。

关 键 词：NAND闪存 存储单元 存储架构 专利分析 物理结构 阈值电压 NANDFLASH 堆叠式 

分 类 号：G255.53[文化科学—图书馆学] TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]