镓掺杂对氧化锌薄膜晶体管性能的影响  

作　　者：高悍津 高晓红[1] 孙玉轩 王森 张子博 杨晨 

机构地区：[1]吉林建筑大学电气与计算机学院,吉林长春130000

出　　处：《电子制作》2022年第10期30-32,共3页Practical Electronics

基　　金：吉林省科技厅科技发展计划项目(20190303114SF);大学生创新创业训练计划项目(202110191109)。

摘　　要：使用磁控溅射设备在室温下以p-Si为衬底的SiO2上沉积氧化锌掺杂镓(GZO)薄膜,并制备成薄膜晶体管器件。研究过程中,分别使用原子力显微镜和扫描电子显微镜观测薄膜的表面形貌,使用半导体参数分析仪测试器件的电学性能。实验表明,相比于纯ZnO薄膜,氧化锌掺杂镓之后的薄膜表面形貌较为平整,粗糙度较低,薄膜表面晶粒致密,结膜质量有所改善。并计算得出GZO薄膜的亚阈值摆幅为3.5V·dec^(-1),阈值电压为23.5V,开关电流比为4.73×10^(5),迁移率为6.29cm^(2)•V-1s^(-1),界面态陷阱密度为1.19×10^(13)cm^(-2)eV^(-1)。

关 键 词：薄膜晶体管 GZO 磁控溅射 

分 类 号：TN321.5[电子电信—物理电子学] TB383.2[一般工业技术—材料科学与工程]