云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- GZO

GZO: 作品数：58被引量：73H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：张建华李喜峰蒋毅坚宋淑梅马飞更多>>; 相关机构：上海大学山东大学北京工业大学江南大学更多>>; 相关期刊：《非金属矿》《电子制作》《液晶与显示》《电子器件》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家重点基础研究发展计划湖北省自然科学基金更多>>

GZO/8YSZ功能梯度热障涂层热冲击过程中裂纹的生长研究: 《表面技术》2025年第7期189-202,共14页刘琨王九思杜康平郭小满张蕾何文斌都金光明五一; 国家自然科学基金(U2004169);河南省科技攻关项目(242102230036);河南省重大科技专项(241100220100)。; 目的探究功能梯度热障涂层(FG-TBCs)的裂纹生长机制。方法通过用户定义材料子程序,建立梯度热障涂层结构模型,并基于响应面优化的扩展有限元法(XFEM)分析TGO/TC界面幅值、热生长氧化物(TGO)厚度和纵向裂纹倾角对裂纹扩展的影响。结果在...; 关键词：功能梯度热障涂层扩展有限元法响应面方法纵向裂纹横向裂纹

电子束物理气相沉积Yb掺杂Gd_(2)Zr_(2)O_(7)/8YSZ双陶瓷层热障涂层性能研究: 《表面技术》2025年第6期134-142,共9页高栋刘燚栋张国栋黄爱华; 目的分析电子束物理气相沉积Yb掺杂Gd_(2)Zr_(2)O_(7)(简称为Yb-GZO)/8YSZ双陶瓷层涂层的关键性能,推动涂层工艺优化和质量提升。方法采用镀铂渗铝在单晶合金试样表面制备金属黏结层,随后在黏结层上采用电子束物理气相沉积制备Yb-GZO/...; 关键词：Yb-GZO/8YSZ双陶瓷层涂层热循环热导率热稳定性热腐蚀

GZO@TiN纳米流体光学性能探究: 《上海第二工业大学学报》2024年第2期149-156,共8页何国杜李梦元吴子华王元元俞晓晓; 上海市启明星培育(扬帆专项)(23YF1413500);国家自然科学基金(52306259);上海第二工业大学研究生副导师科研能力提升专项(EGD23DS10)资助。; 近年来,纳米流体在太阳能光热利用方面极具前景。核壳结构纳米颗粒可以耦合多种材料的不同波段效应,调控光谱吸收波段,实现太阳能的全光谱捕获吸收。将在长波具有高吸收的氧化锌掺杂镓(GZO)和在可见吸收好的氮化钛(TiN)形成GZO@TiN核壳...; 关键词：核壳结构氮化钛氧化锌掺杂镓等离激元效应光谱调控

Fluorination-mitigated high-current degradation of amorphous InGaZnO thin-film transistors: 《Journal of Semiconductors》2023年第9期57-61,共5页Yanxin Wang Jiye Li Fayang Liu Dongxiang Luo Yunping Wang Shengdong Zhang Lei Lu; supported by National Key Research and Development Program under Grant No.2022YFB3607100;Shenzhen Research Programs under Grant Nos.JCYJ20200109140601691,JCYJ20190808154803565,SGDX20201103095607022,SGDX20211123145404006,and GXWD20201231165807007-20200807025846001。; As growing applications demand higher driving currents of oxide semiconductor thin-film transistors(TFTs),severe instabilities and even hard breakdown under high-current stress(HCS)become critical challenges.In this w...; 关键词：amorphous indium-gallium-zinc oxide(a-IGZO) thin-film transistors(TFTs) current stress self-heating(SH) FLUORINATION

Al_(2)O_(3)钝化层对a-IGZO薄膜晶体管电性能的增强机制研究: 《稀有金属材料与工程》2023年第6期2103-2110,共8页王琛曾超凡路文墨宁海玥马飞; 国家自然科学基金(51771144);陕西省自然科学基金(2019JLM-30,2019TD-020,2021JC-06)。; 采用空心阴极增强脉冲激光沉积技术(HC-PLD)在室温制备高质量的Al_(2)O_(3)薄膜,作为非晶铟镓锌氧(a-IGZO)TFT器件的钝化层,显著增强了Al_(2)O_(3)/a-IGZO TFT器件的亚阈值特性,其原因在于空心阴极引入的氧等离子体抑制了Al_(2)O_(3)/a-...; 关键词：a-IGZO Al_(2)O_(3)钝化层薄膜晶体管 XPS深度分析

绿沸石-牡蛎壳复合材料的制备及其性能研究被引量：1: 《非金属矿》2022年第6期97-100,104,共5页徐园园李文进林方聪魏一恺吕春光王趁义; 国家自然科学基金(21207036);浙江省公益技术研究计划项目(LGF21E080014、LGF18C030001);浙江省一流学科“生物工程”自设课题(ZS2022008);浙江省一流学科“生物工程”研究生创新项目(CX2021023、CX2021040);浙江省大学生创新创业训练计划项目(S202110876056、S202110876058)。; 采用高温煅烧法制备绿沸石-牡蛎壳复合材料(GZO),研究造孔剂与黏结剂用量比、绿沸石与牡蛎壳的物料比、煅烧温度、煅烧时间对GZO性能的影响,确定最佳制备条件为:造孔剂(NaHCO_(3))与黏结剂(Na_(2)SiO_(3)·9H_(2)O)质量比为1.2 g∶6 g...; 关键词：高温煅烧绿沸石-牡蛎壳复合材料(GZO) 吸氮除磷除藻藻型富营养化水体

Migration of weakly bonded oxygen atoms in a-IGZO thin films and the positive shift of threshold voltage in TFTs: 《Chinese Physics B》2022年第9期397-403,共7页Chen Wang Wenmo Lu Fengnan Li Qiaomei Luo Fei Ma; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.51771144 and 62104189);the Natural Science Foundation of Shaanxi Province,China(Grant Nos.2021JC-06,2019TD-020,and 2019JLM-30);the China Postdoctoral Science Foundation(Grant No.2020M683483);the Fundamental scientific research business expenses of Xi'an Jiaotong University(Grant No.XZY022020017).; Amorphous indium-gallium-zinc oxide(a-IGZO)thin films are prepared by pulsed laser deposition and fabricated into thin-film transistor(TFT)devices.In-situ x-ray photoelectron spectroscopy(XPS)illustrates that weakly b...; 关键词：a-IGZO thin films weakly bonded O atoms threshold voltage shift

Degradation mechanisms for a-InGaZnO thin-film transistors functioning under simultaneous DC gate and drain biases: 《Chinese Physics B》2022年第8期651-655,共5页Tianyuan Song Dongli Zhang Mingxiang Wang Qi Shan; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61971299 and 61974101);the Natural Science Foundation of Jiangsu Province of China(Grant No.BK20201201);the Fund from Suzhou Science and Technology Bureau(Grant No.SYG201933);the Fund from the State Key Laboratory of ASIC and System,Fudan University,(Grant No.2021KF005)。; Degradation of a-InGaZnO thin-film transistors working under simultaneous DC gate and drain bias stress is investigated,and the corresponding degradation mechanism is proposed and verified.The maximum degradation occu...; 关键词：a-IGZO thin-film transistors hot-carrier effects

氧氩比对镓掺杂氧化锌薄膜晶体管性能的影响被引量：2: 《吉林建筑大学学报》2022年第3期73-78,共6页孟冰高晓红孙玉轩王森; 吉林省科技厅科技发展计划项目(20190303114SF);吉林省教育厅“十三五”科学技术项目(JJKH20200276KJ)。; 在室温条件下使用射频磁控溅射设备在100 nm热氧化SiO_(2)上沉积镓掺杂氧化锌(GZO)薄膜,并制备成薄膜晶体管器件.研究薄膜沉积过程中氧氩比对GZO薄膜及器件的影响.使用紫外可见分光光度计表征薄膜的光学特性,通过扫描电子显微镜(SEM)和...; 关键词：GZO 薄膜晶体管氧氩比磁控溅射

镓掺杂对氧化锌薄膜晶体管性能的影响: 《电子制作》2022年第10期30-32,共3页高悍津高晓红孙玉轩王森张子博杨晨; 吉林省科技厅科技发展计划项目(20190303114SF);大学生创新创业训练计划项目(202110191109)。; 使用磁控溅射设备在室温下以p-Si为衬底的SiO2上沉积氧化锌掺杂镓(GZO)薄膜,并制备成薄膜晶体管器件。研究过程中,分别使用原子力显微镜和扫描电子显微镜观测薄膜的表面形貌,使用半导体参数分析仪测试器件的电学性能。实验表明,相比于纯...; 关键词：薄膜晶体管 GZO 磁控溅射

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