DRAM的现状及发展方向  

作　　者：任智源 杨伦 柴凯中 

机构地区：[1]湖北师范大学先进材料研究院,湖北黄石074000

出　　处：《电子元器件与信息技术》2022年第4期1-4,共4页Electronic Component and Information Technology

基　　金：湖北省高校优秀中青年科技创新团队项目“基于表界面调控的能源转换材料特性与应用研究”(项目编号:T2021010,2021.01-2024.12)。

摘　　要：动态随机存取存储器(DRAM)具有低延迟、高带宽的特点,应用于电子器件中的内存芯片。本文综述了DRAM芯片的现状、其面临的挑战和发展前景,介绍了DRAM器件的结构、基本原理和关键功能,还介绍了在工艺制程微缩过程中,科研人员就短沟道效应带来的漏致势垒降低、漏电电流过大、速度饱和、热载流子效应等问题提出的技术解决方案。针对当前DRAM面临的刷新时间过短、电容器可靠性低等问题,介绍了无电容结构DRAM的研究状况。未来对于更高级别的DRAM单元设计,可能在工艺、材料、电路设计等方面做出创新。

关 键 词：DRAM 半导体存储器 短沟道效应 晶体管 

分 类 号：TN36[电子电信—物理电子学]