半导体制程前沿技术与新型晶体管结构  

作　　者：沈志春 夏玥 张清贵 刘心舸 吴欣延 

机构地区：[1]珠海晶通科技有限公司,广东珠海519000

出　　处：《电子元器件与信息技术》2022年第5期13-16,共4页Electronic Component and Information Technology

摘　　要：随着半导体制程技术的进步,晶体管尺寸越来越小。目前,世界成熟主流的半导体制程从0.35μm发展到4nm,半导体制程达到4nm后,想要继续发展遇到了很多的困难,因此需要开发新型的半导体晶体管结构,以满足更先进的半导体制程工艺的发展需要。因而提出了全环绕栅极(Gate-all-around,GAA)、Forksheet结构、CFET结构这三种结构,为未来更先进的半导体3nm/2nm/1nm制程技术的发展提供了选择。

关 键 词：半导体制程 全环绕栅极 Forksheet结构 CFET结构 

分 类 号：O471.4[理学—半导体物理]