SiC涂层石墨基座技术及产业发展研究  

作　　者：王玉 

机构地区：[1]北京新材料和新能源科技发展中心

出　　处：《新材料产业》2022年第3期58-60,共3页Advanced Materials Industry

摘　　要：1碳化硅(SiC)涂层石墨基座基本情况1.1基本概念SiC涂层石墨基座常用于金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备中支撑和加热单晶衬底的部件(图1)。MOCVD设备是化合物半导体单晶衬底外延生长的研发及产业化关键设备,SiC涂层石墨基座的热稳定性、热均匀性等性能参数对外延材料生长的质量起到决定性作用,因此是MOCVD设备的核心关键部件。

关 键 词：金属有机物化学气相沉积 化合物半导体 产业发展研究 SIC涂层 外延生长 MOCVD设备 外延材料 基座 

分 类 号：TQ127.11[化学工程—无机化工]