西南地区首颗自研自产IGBT元件年内将量产  

出　　处：《变频器世界》2022年第8期58-58,共1页The World of Inverters

摘　　要：据重庆日报报道,重庆万国半导体科技有限公司(以下简称“重庆万国”)已成功造出西南地区首颗独立开发、设计并自行完成晶圆制造与封装测试的IGBT元件。目前该IGBT元件通过用户试用,预计今年年内实现量产。IGBT元件是绝缘栅双极型晶体管的英文名缩写,是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管,组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。

关 键 词：绝缘栅双极型晶体管 功率半导体器件 场效应管 IGBT元件 晶圆制造 双极型三极管 封装测试 重庆日报 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]