第三代半导体布局提速 国产势力能否“换道超车”?  

出　　处：《变频器世界》2022年第10期34-35,共2页The World of Inverters

摘　　要：半导体材料目前已经发展至第三代,从传统Si(硅)功率器件IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、MOSFET(金氧半场效晶体管),到以SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)为代表的第三代半导体。在这条赛道上,企业融资并购、厂商增资扩产、新玩家跑步入场、新项目不断涌现。与半导体市场整体“低迷”的现状不同,第三代半导体市场则焕发着别样生机。

关 键 词：半导体材料 氮化镓 半导体市场 第三代半导体 金氧半场效晶体管 功率器件 GaN 碳化硅 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]