中国电科46所取得高质量AlN单晶制备技术新突破  

作　　者：无 

机构地区：[1]中国电科46所

出　　处：《人工晶体学报》2022年第12期2177-2178,共2页Journal of Synthetic Crystals

摘　　要：氮化铝(AlN)晶体属于超宽禁带半导体材料,具有诸多优异的物理性能,是新一代高性能微波功率器件及紫外光电器件的理想衬底材料。AlN单晶衬底及其相关器件一直是超宽禁带半导体领域的研究热点。AlN晶体为六方纤锌矿结构,且具有很强的各向异性。

关 键 词：宽禁带半导体材料 微波功率器件 六方纤锌矿结构 光电器件 衬底材料 各向异性 物理性能 制备技术 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]