超高速化合物半导体器件(4)  

Ultra-high-speed Compound Semiconductor Device(4)

作　　者：谢永桂[1] 

机构地区：[1]航天工业总公司西安微电子技术研究所,陕西西安710054

出　　处：《电子元器件应用》2002年第12期46-50,共5页Electronic Component & Device Applications

摘　　要：以高电子迁移率晶体管、异质结双极晶体管和微波/毫米波集成电路为例,介绍化合物半导体器件的特点、封装、测试及其应用。Feature, packaging, test and application of compound semiconductor device are introduced based on high electron mobility transistor, heterojunction bipolar transistor and microwave/millimetre-wave integrated circuit(MMIC).

关 键 词：高电子迁移率晶体管 异质结双极晶体管 化合物半导体 RF测试 微波封装 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]