工业硅片上长出“完美”二维超薄材料  

出　　处：《电子质量》2023年第1期82-82,共1页Electronics Quality

摘　　要：据发表在最新一期《自然》杂志上的论文,美国麻省理工学院工程师开发出一种“非外延单晶生长”方法,在工业硅晶圆上生长出纯净的、无缺陷的二维材料,以制造越来越小的晶体管。根据摩尔定律,自20世纪60年代以来,微芯片上的晶体管数量每年都会翻一番。但这一趋势预计很快就会趋于平缓,因为用硅制成的器件一旦低于一定的尺寸,就会失去其电性能。在纳米尺度上,二维材料可比硅更有效地传导电子。因此,寻找下一代晶体管材料的重点是将二维材料作为硅的潜在替代品。

关 键 词：晶体管数量 微芯片 硅晶圆 二维材料 传导电子 摩尔定律 单晶生长 硅片 

分 类 号：TB34[一般工业技术—材料科学与工程] TN32[电子电信—物理电子学]