优化SiC MOSFET的栅极驱动  

作　　者：Didier Balocco 

机构地区：[1]安森美

出　　处：《电子产品世界》2023年第4期1-2,5,共3页Electronic Engineering & Product World

摘　　要：在高压开关电源应用中,相较传统的硅MOSFET和IGBT,碳化硅(以下简称“SiC”)MOSFET有明显的优势。使用硅MOSFET可以实现高频(数百千赫兹)开关,但它们不能用于非常高的电压(>1000V)。而IGBT虽然可以在高压下使用,但其“拖尾电流”和缓慢的关断使其仅限于低频开关应用。SiCMOSFET则两全其美,可实现在高压下的高频开关。然而,SiCMOSFET的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。

关 键 词：栅极驱动 高频开关 器件特性 高压开关电源 MOSFET 拖尾电流 IGBT 千赫兹 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]