离轴照明强度不对称性对投影曝光光刻系统成像影响分析  

作　　者：陈德良[1] 王玉清[1] 李世雄[1] 余宏[1] 

机构地区：[1]贵州师范学院,贵州省贵阳市550018

出　　处：《电子技术与软件工程》2023年第6期147-150,共4页ELECTRONIC TECHNOLOGY & SOFTWARE ENGINEERING

基　　金：贵州省科技支撑计划项目(黔科合SY字[2014]3084);贵州省教育厅青年科技人才成长基金(批准号:黔教合KY字[2016]217);中央引导地方科技发展专项资金项目(黔科中引地【2019】4012)资助。

摘　　要：本文对离轴照明强度不对称性对投影曝光光刻系统成像影响进行了分析。离轴照明相对传统照明来讲可以提高光刻系统成像的分辨率,是光刻系统常用的照明模式。但是离轴照明光源相对光轴的强度和位置不对称性,会对光刻成像产生较大影响。因此,本文一种利用自建的一种光刻成像仿真模型,利用此模型分析了离轴二极照明下,照明光源强度不对称对193nm深紫外光刻机90nm线宽的成像影响。仿真结果表明,照明光源强度均匀对称时,离焦对成像的影响很小,照明强度不对称时,离焦对成像的影响非常大。因此,光刻时要确保掩膜照明强度均匀,减小离焦对成像线宽的影响。

关 键 词：光刻系统 离轴照明 离焦 部分相干成像 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学] TP391.41[自动化与计算机技术—计算机应用技术]