我国首颗15.24cm氧化镓单晶成功制备  

出　　处：《有色金属材料与工程》2023年第2期86-86,共1页Nonferrous Metal Materials and Engineering

摘　　要：日前,中国电科46所成功制备出我国首颗15.24cm氧化镓单晶,达到国际最高水平。氧化镓是新型超宽禁带半导体材料,拥有优异的物理化学特性,在微电子与光电子领域均拥有广阔的应用前景。但因具有高熔点、高温分解以及易开裂等特性,因此,大尺寸氧化镓单晶制备极为困难。

关 键 词：氧化镓 光电子领域 宽禁带半导体材料 物理化学特性 高温分解 高熔点 微电子 单晶 

分 类 号：TQ133.51[化学工程—无机化工]