分子束外延系统  

Molecular Beam Epitaxy System FW-IV-60

出　　处：《中国科学院院刊》2023年第S01期31-31,共1页Bulletin of Chinese Academy of Sciences

摘　　要：主要技术与性能指标,极限真空优于10^(−9)Pa,束源炉最高温度1300℃,双驱控温,控温精度±1℃,GaAs外延材料:厚度不均匀性≤±2%;掺杂不均匀性≤±3%,表面缺陷(1μm厚GaAs):≤50个/cm^(2),电学性能(厚度2μm GaAs):背景载流子浓度n≤3×10^(14)cm^(−3),迁移率μ_(300K)≥6000 cm^(2)/V.s,μ_(77K)≥60000 cm^(2)/V.s。

关 键 词：分子束外延 外延材料 迁移率 束源 极限真空 控温精度 电学性能 表面缺陷 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]