硅基光电子工艺中集成锗探测器的工艺挑战与解决方法  

作　　者：宁宁 潘伯津 黄烁 杜明锋 王学毅 

机构地区：[1]联合微电子中心有限责任公司

出　　处：《数字技术与应用》2023年第8期142-145,239,共5页Digital Technology & Application

摘　　要：锗探测器是硅基光电子芯片中实现光电信号转化的核心器件。在硅基光电子芯片工艺中实现异质单片集成高性能锗探测器工艺,是光模块等硅基光电子产品实现小体积、低成本和易制造的优先选择。本文讨论了硅基光电子芯片集成锗探测器在实际工艺中遇到的挑战和解决思路。硅基光电子芯片集成锗探测器主要挑战在于热预算兼容、金属污染防控及工艺结构的匹配三个方面。

关 键 词：硅基光电子 光电信号 单片集成 工艺结构 锗探测器 光模块 芯片集成 芯片工艺 

分 类 号：TN36[电子电信—物理电子学]