腔内气压对IGBT Si沟槽刻蚀速率的影响  

作　　者：王云飞 付毅峰[1] 高志廷 

机构地区：[1]河南机电职业学院智能工程学院,河南郑州451191 [2]北京理工大学材料学院,北京100081

出　　处：《设备管理与维修》2023年第18期49-51,共3页Plant Maintenance Engineering

基　　金：河南省科技计划资助项目:六自由度并/串联机器人运动学“等键距差(BLD)”算法的开发,项目编号:162102210320。

摘　　要：IGBT是新能源汽车的核心部件,主要用于电力驱动、充电桩、车载空调等系统,第5代IGBT沟槽刻蚀技术对Si基的刻蚀工艺要求很苛刻。腔内气压影响刻蚀速率的因素包括离子轰击效应、化学反应速率、物理碰撞效应。采用ICP601型等离子体刻蚀机,F基气体对光刻后的Si片进行沟槽刻蚀。结果表明,前期随着气压的增加,刻蚀速率增大,当气压为5 Pa时,刻蚀速率达到最大值0.24μm/min,中后期随着气压的增大,刻蚀速率减小。

关 键 词：新能源汽车 IGBT 光刻 刻蚀 

分 类 号：TN323.4[电子电信—物理电子学]