谈谈SiC MOSFET的短路能力  

出　　处：《变频器世界》2023年第9期51-53,共3页The World of Inverters

摘　　要：在电力电子的很多应用,如电机驱动,有时会出现短路的工况。这就要求功率器件有一定的扛短路能力,即在一定的时间内承受住短路电流而不损坏。目前市面上大部分IGBT都会在数据手册中标出短路能力,大部分在5~10μs之间,例如英飞凌IGBT3/4的短路时间是10μs,IGBT7短路时间是8μs。而大部分的SiC MOSFET都没有标出短路能力,即使有,也比较短,例如英飞凌的CoolSiCTM MOSFET单管封装器件标称短路时间是3μS,EASY封装器件标称短路时间是2μs。

关 键 词：封装器件 电力电子 功率器件 MOSFET IGBT 短路能力 短路电流 数据手册 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]