第二十二讲 化学气相沉积(CVD)技术  

No.22:Chemical Vapor Deposition Technology

作　　者：张以忱[1] ZHANG Yi-chen

机构地区：[1]东北大学,辽宁沈阳110004

出　　处：《真空》2023年第6期87-88,共2页Vacuum

摘　　要：(接2023年第5期88页)(1)可大大减轻因高强度离子轰击造成的衬底损伤。如在上述的射频等离子体反应器中,离子能量可达100e V,很容易使那些具有亚微米尺寸的线路特征的器件中的衬底(如砷化锌、磷化铟、碲镉汞等Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体衬底)造成损伤;微波放电可以在等离子体电位不是很高的情况下发生,这比射频放电要优越很多,因此前者对膜表面没有损伤。

关 键 词：微波放电 等离子体反应器 离子轰击 离子能量 磷化铟 射频放电 碲镉汞 微米尺寸 

分 类 号：O484[理学—固体物理] TB43[理学—物理]