SiC高温退火表面保护薄膜制备的研究  

Preparation of SiC Surface Protective Film Annealed at High Temperature

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作  者:刘相伍 李波 陟金华 朱江涛 LIU Xiangwu;LI Bo;ZHI Jinhua;ZHU Jiangtao(Beijing Advanced Semiconductor Innovation Co.,Ltd.,Beijing 101318,China)

机构地区:[1]北京国联万众半导体科技有限公司,北京101318

出  处:《电子工业专用设备》2024年第3期9-12,共4页Equipment for Electronic Products Manufacturing

摘  要:采用光刻胶涂覆、PVD、PECVD和RIE方法制备的类金刚石(DLC)薄膜覆盖于SiC晶片表面,作为SiC离子注入后高温激活退火的保护层,高温退火后晶片表面均无明显形貌退化,从薄膜应力、厚度、产能及成本等方面对4种方法进行了对比和分析。Diamond-like carbon(DLC)films prepared by photoresist coating,PVD,PECVD and RIE cover the surface of SiC wafer as the protective layer for high-temperature activation annealing after SiC ion implantation.There is no obvious morphological degradation on all the wafer surfaces after high-temperature annealing.The four methods are compared and analyzed from the aspects of film stress,thickness,productivity and cost.

关 键 词:碳化硅 类金刚石 高温退火 

分 类 号:TN304.05[电子电信—物理电子学]

 

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