第二十二讲 化学气相沉积(CVD)技术  

No.22:Chemical Vapor Deposition Technology

作　　者：张以忱[1] ZHANG Yi-chen

机构地区：[1]东北大学,辽宁沈阳110004

出　　处：《真空》2024年第4期102-104,共3页Vacuum

摘　　要：4.2 MO源MOCVD法是一种利用金属有机化合物热分解反应进行气相外延生长的方法,主要用于化合物半导体气相生长上。在这项技术中,这些可分解的金属有机化合物被用作初始反应物,通常称为MO源。

关 键 词：金属有机化合物 热分解反应 化合物半导体 气相生长 MOCVD法 MO源 可分解 气相外延生长 

分 类 号：O484[理学—固体物理] TB43[理学—物理]