气相外延生长

作品数：27被引量：11H指数：2
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第二十二讲 化学气相沉积(CVD)技术
《真空》2024年第4期102-104,共3页张以忱 
4.2 MO源MOCVD法是一种利用金属有机化合物热分解反应进行气相外延生长的方法,主要用于化合物半导体气相生长上。在这项技术中,这些可分解的金属有机化合物被用作初始反应物,通常称为MO源。
关键词：金属有机化合物 热分解反应 化合物半导体 气相生长 MOCVD法 MO源 可分解 气相外延生长 
金掺杂HgCdTe气相外延生长及二次离子质谱研究被引量：1
《红外》2016年第10期1-6,16,共7页王仍 焦翠灵 张莉萍 陆液 张可锋 杜云辰 李向阳 
国家自然科学基金项目(61106097;61204134;11304335);中国科学院三期创新项目(CX-26);中国载人空间站工程(TGJZ800-2-RW024)
通过气相外延技术生长了Au掺杂的Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜材料。利用傅里叶光谱仪和金相显微镜对外延材料进行了表征。通过二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectroscopy,SIMS)技术分析了Au在Hg_(1-x)Cd_xTe外延层以及CdZnTe衬底中的纵向分...
关键词：Hg_(1-x)Cd_xTe晶体 二次离子质谱 气相外延 Au掺杂 杂质 
Au掺杂碲镉汞气相外延生长及电学性能被引量：2
《红外与毫米波学报》2015年第4期432-436,共5页王仍 焦翠灵 徐国庆 张莉萍 张可锋 陆液 杜云辰 邵秀华 林杏潮 李向阳 
国家自然科学基金(61106097;61204134;11304335);中科院三期创新项目(Q-ZY-87/Q-ZY-88)~~
采用气相外延技术生长Au掺杂的Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜材料,利用范德堡法对薄膜材料进行电学性能表征.通过变温霍尔测量,分析了常规Au掺杂p型薄膜的霍尔系数和霍尔迁移率随温度的变化,利用二次离子质谱(SIMS)分析薄膜中Au的纵向分布趋势.讨...
关键词：Hg1-xCdxTe晶体 磁输运 迁移率谱 二次离子质谱 
C面蓝宝石衬底上6H-SiC薄膜的低压化学气相外延生长与表征被引量：2
《材料研究学报》2008年第1期37-41,共5页郑海务 苏剑峰 顾玉宗 张杨 傅竹西 
国家自然科学基金50532070，50472009和10474091资助项目．
采用低压化学气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上异质外延生长出高结晶质量和良好表面形貌的6H-SiC薄膜,研究了C_3H_8气体流速对薄膜结晶质量的影响.随着C_3H_8气体流速的降低,薄膜的结晶质量先增加后降低,表明薄膜的生长在开始阶段受表面...
关键词：无机非金属材料 6H-SiC薄膜 低压CVD 蓝宝石 微结构 
Si(111)衬底上6H-SiC薄膜的低压化学气相外延生长与表征被引量：2
《功能材料》2007年第8期1336-1338,共3页郑海务 苏剑峰 王科范 李银丽 顾玉宗 傅竹西 
国家自然科学基金资助项目(50472009;50532070)
在Si(111)衬底上,采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过低压化学气相沉积(LPCVD)工艺外延出结晶质量良好的SiC薄膜。低温光致发光谱表明该薄膜属于6H-SiC多型体。X射线衍射图表明该薄膜具有高度的择优取向性。扫描电子显微镜图表明该薄膜...
关键词：SI 6H-SIC 化学气相沉积 微结构 
SiHCl_3-H_2气相外延生长Si单晶反应机理的理论研究被引量：2
《高等学校化学学报》2006年第9期1695-1698,共4页孙仁安 张旭 韩克利 
吉林大学理论化学计算国家重点实验室资助;辽宁省教育委员会基金(批准号:990321076)资助
采用密度泛函理论计算方法,在B3LYP/6-311G*水平下,计算并得到了SiHCl3与H2反应各反应通道上各驻点的构型、振动频率和能量.结果表明,在气相中SiHCl3分解的通道d和SiHCl3与H2反应的通道c为竞争反应,但其均未还原出Si原子,只有衬底Si参与...
关键词：密度泛函理论 过渡态 反应机理 速率常数 
日本厂校合作成功首创高质量氮化铝单晶膜
《精细与专用化学品》2006年第3期37-37,共1页余双人 
日本东京农科大学和日本轻金属公司合作，首先研发成功高质量氮化铝单晶膜生长技术，该成果为世界首创。据认为，这一成就为大批量生产氮化铝单晶薄膜开辟了道路。这种薄膜可用以开发代替现有发光装置和荧光灯的新光源。研究采用高纯度...
关键词：氮化铝单晶薄膜 日本东京 合作成功 单晶膜 质量 气相外延生长 大批量生产 农科大学 生长技术 研发成功 
金属有机化学气相外延生长1310nm偏振无关混合应变量子阱半导体光放大器研究
《物理学报》2004年第12期4257-4261,共5页马宏 朱光喜 陈四海 易新建 
中国博士后科学基金资助的课题~~
采用低压金属有机化学气相外延设备进行了 1 3μm压应变量子阱材料、张应变量子阱材料和混合应变量子阱材料的生长研究 .通过x射线双晶衍射和光致发光谱对生长材料进行测试和分析 .基于四个压应变量子阱和三个张应变量子阱交替生长的混...
关键词：应变量子阱 半导体光放大器 偏振无关 CW 波导结构 低压金属有机化学气相外延 偏振灵敏度 减反膜 蒸镀 光致发光谱 
热处理与表面处理工艺
《电子科技文摘》2000年第9期35-35,共1页
Y2000-62067-434 0014495用于异质结双极晶体管的金属有机气相外延生长GaAs,GaInP 的表面形态学=Surface morphology ofmetalorganic vapor phase epitaxy grown GaAs.GaInP forheterojunction bipolar transistor applications with Ni...
关键词：表面处理工艺 异质结双极晶体管 热处理 脉冲电晕 表面形态学 气相外延生长 金属有机 放电过程 回火工艺 废气 
光探测器与光学系统
《电子科技文摘》2000年第8期22-23,共2页
Y2000-62067-348 0012633采用分子束外延和金属有机气相外延生长 CaAs/Al-GaAs 量子阱红外光电探测器的比较研究=A compara-tive study of GaAs/AlGaAs quantum well infrared pho-todetectors grown by molecular beam epitaxy and met...
关键词：谐振腔增强型光探测器 量子阱红外光电探测器 光学系统 分子束外延 气相外延生长 比较研究 金属有机 半导体光放大器 超辐射发光管 长波长 
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