北京大学在GaN功率器件可靠性与集成技术方面取得系列进展  

出　　处：《变频器世界》2024年第7期39-41,共3页The World of Inverters

摘　　要：近日,功率半导体器件领域的顶级会议IEEE International Symposiumon Power Semiconductor Devices and ICs(ISPSD)在德国不来梅市举行。本届ISPSD共收到论文投稿338篇,录用141篇,其中口头报告录用42篇。北京大学集成电路魏进/王茂俊团队与物理学院沈波团队合作的6篇高水平论文入选(包含3篇口头报告)。六篇论文内容涉及GaN功率器件热电子效应抑制技术、高性能GaNp-FET器件技术、GaN功率器件动态电阻测试平台、高栅极电压摆幅GaN功率器件、GaN功率器件短路能力提升技术、增强型GaN功率器件动态阅值漂移与误开通现象。

关 键 词：功率半导体器件 器件可靠性 口头报告 GAN 器件技术 论文投稿 动态电阻 集成技术 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]