英飞凌发布采用8英寸晶圆代工工艺制造的新一代Cool GaN晶体管系列  

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出  处:《变频器世界》2024年第7期45-45,共1页The World of Inverters

摘  要:近日,英飞凌科技股份公司推出新一代高压(HV)和中压(MV)CoolGaN^(TM)半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓(GaN)的应用范围扩大到40V至700V电压,进一步推动数字化和低碳化进程。在马来西亚居林和奥地利菲拉赫,这两个产品系列采用英飞凌自主研发的高性能8英寸晶圆工艺制造。英飞凌将据此扩大CoolGaN^(TM)的优势和产能,确保其在GaN器件市场供应链的稳定性。据YoleGroup预测,未来五年GaN器件市场的年复合增长率(CAGR)将达到46%。

关 键 词:半导体器件 英飞凌科技 年复合增长率 GAN 工艺制造 菲拉赫 供应链 低碳化 

分 类 号:TN3[电子电信—物理电子学]

 

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