半导体中肖特基异质结的热电子发射机制的不同维度探讨  

Study of dimensionality-dependent thermionic emission mechanism in semiconductor Schottky heterostructures

作　　者：曾树明 倪佳宜 王伟[1] 杨金彭 ZENG Shu-ming;NI Jia-yi;WANG Wei;YANG Jin-peng(College of Physical Science and Technology,Yangzhou University,Yangzhou,Jiangshu 225009,China)

机构地区：[1]扬州大学物理科学与技术学院,江苏扬州225009

出　　处：《大学物理》2024年第7期22-24,36,共4页College Physics

基　　金：国家自然科学基金(12204402,62375234)资助;扬州大学“课程思政”教学示范课程建设项目21092109;扬州大学卓越本科课程建设工程项目:2022ZYKCC-13;江苏省高校“高质量公共课教学改革研究”专项课题。

摘　　要：本文利用经典的热电子发射模型,探讨了在三维、二维和一维情况下半导体肖特基结中热电子发射电流推导的公式及其表达式的演变关系.这些拓展的公式可以广泛应用于当前研究热点——低维半导体中的界面势垒提取和分析,并有助于促进学生对半导体知识的理解以及对相关科学研究和分析手段的融合运用.In this paper,classical thermionic emission model is employed to explore the formulas and their evolution for derivation of thermionic emission current in semiconductor Schottky junctions under three-dimensional,two-dimensional,and one-dimensional scenarios.These extended formulas can be widely applied to current research hotspot of interface barrier extraction and analysis in low-dimensional semiconductors,and should further contribute to enhancing students'understanding of semiconductor knowledge and the integrated application of related scientific research and analytical methods.

关 键 词：半导体 肖特基结 热电子发射 势垒 

分 类 号：O472[理学—半导体物理]