信越12英寸氮化镓外延QST衬底出样,有助于降低GaN产品成本  

出　　处：《变频器世界》2024年第9期39-39,共1页The World of Inverters

摘　　要：日本信越化学当地时间9月3日宣布成功开发出用于氮化镓GaN外延生长的300mm(IT之家注:一般也称12英寸)的QST衬底,并已从近期开始向客户供应相关样品。相较于以12英寸晶圆为主流的硅半导体,氮化镓生产目前仍集中在6英寸与8英寸上,这其中部分是因为氮化镓和硅热存在热膨胀系数差异,大尺寸硅基衬底容易导致在其上生长的氮化镓外延层出现翘曲与开裂。

关 键 词：氮化镓 硅半导体 外延生长 热膨胀系数 产品成本 GAN QST 衬底 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]